| 歪量子井戸結晶の製造方法 | |
| 大塚 信之; 鬼頭 雅弘; 石野 正人; 松井 康 | |
| 2003-01-10 | |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 专利号 | JP3385985B2 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 歪量子井戸結晶の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 オーダリングを有する歪量子井戸を作製することで発振波長の温度依存性および注入電流依存性の小さい歪量子井戸半導体レーザを提供する。 【解決手段】 半導体単結晶基板1上に第1の光導波路層2と歪井戸層3と障壁層4よりなる多重量子井戸5と第2の光導波路層6を成長する。歪井戸層を600℃以下の温度で成長することで障壁層はオーダリングしている。これにより、発振波長の温度依存性および注入電流依存性の小さい歪量子井戸半導体レーザが実現できる。 |
| 公开日期 | 2003-03-10 |
| 申请日期 | 1995-08-28 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47587]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大塚 信之,鬼頭 雅弘,石野 正人,等. 歪量子井戸結晶の製造方法. JP3385985B2. 2003-01-10. |
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