| Verfahren zur Herstellung von Halbleiterlasern | |
| HAYASHI,IZUO; NANNICHI,YASUO | |
| 1980-01-24 | |
| 著作权人 | NIPPON ELECTRIC CO. |
| 专利号 | DE2526118C3 |
| 国家 | 德国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterlasern |
| 英文摘要 | A strip-geometry semiconductor double-heterostructure laser device includes an n-GaAs substrate on which a first layer of n-AlxGa1-xAs and a second layer of p-AlyGa1-yAs are formed by epitaxial growth techniques. A third layer of heat- and Ga melt resistant material of narrow stripe geometry is formed on the second layer. After the second layer and part of the first layer, except for their stripe portions, are meltbacked by Ga melt liquid, a fourth layer of n-AlzGa1-zAs is formed by epitaxial growth techniques of the same Ga melt liquid in one process. |
| 公开日期 | 1980-01-24 |
| 申请日期 | 1975-06-11 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46116]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON ELECTRIC CO. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | HAYASHI,IZUO,NANNICHI,YASUO. Verfahren zur Herstellung von Halbleiterlasern. DE2526118C3. 1980-01-24. |
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