激光器组件 | |
早水尚树; 大木泰; 青柳秀雄; 小矶武; 山形友二; 室清文 | |
2008-06-25 | |
著作权人 | 古河电气工业株式会社 |
专利号 | CN100397734C |
国家 | 中国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 激光器组件 |
英文摘要 | 一种激光器组件,其被设计成高频区域10MHz~1GHz的相对噪声强度(RIN)的累计值(以下叫做高频RIN)是-40dB以上。在具备该激光器组件且具有量子阱结构活性层的半导体激光元件中,当把每一层阱层的光封闭系数设为Γ,把一层阱层的厚度设为d(nm)时,用Γ/d≤3×10-3nm-1表示的关系成立。且设为激光器组件的活性层结构能采用完全分离封闭结构(Decoupled Confinement Heterostructure:DCH结构)和分离封闭结构(Separated Confinement Heterostructure:SCH结构)。 |
公开日期 | 2008-06-25 |
申请日期 | 2003-05-08 |
状态 | 授权 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44980] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 古河电气工业株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 早水尚树,大木泰,青柳秀雄,等. 激光器组件. CN100397734C. 2008-06-25. |
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