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	Growth and optical properties of Eu3+-doped La3Ga5SiO14 single crystal
	Wang Z.; Yuan D.; Xu D.; Lv M.; Cheng X.; Pan L.; Shi X.
刊名	Journal of Crystal Growth
	2003
卷号	255期号:43163页码:348-352
关键词	A1. X-ray diffraction A2. Czochralski method B1. Gallium compounds B2. Piezoelectric materials B3. Solid-state lasers
DOI	10.1016/S0022-0248(03)01269-7
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6769903
专题	山东大学
作者单位	1.Stt. Key Lab. of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China 2.Stt. Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univers
推荐引用方式 GB/T 7714	Wang Z.,Yuan D.,Xu D.,et al. Growth and optical properties of Eu3+-doped La3Ga5SiO14 single crystal[J]. Journal of Crystal Growth,2003,255(43163):348-352.
APA	Wang Z..,Yuan D..,Xu D..,Lv M..,Cheng X..,...&Shi X..(2003).Growth and optical properties of Eu3+-doped La3Ga5SiO14 single crystal.Journal of Crystal Growth,255(43163),348-352.
MLA	Wang Z.,et al."Growth and optical properties of Eu3+-doped La3Ga5SiO14 single crystal".Journal of Crystal Growth 255.43163(2003):348-352.

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