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熔体直接发泡制备泡沫镁的方法
中国科学院金属研究所
2008
关键词泡沫镁 熔体直接发泡 碳化硅
中文摘要本发明属于金属材料和功能材料及材料加工领域,特别涉及一种熔体直接发泡制备泡沫镁的方法,包括原料熔化、加发泡剂搅拌、发泡、切割成型等工艺步骤。本发明按一定比例制得镁合金,将镁合金加热至700~730℃温度下熔化,加入占镁合金质量5~30%的碳化硅颗粒,然后降至550℃~650℃的温度,再加入占镁合金和碳化硅总质量2~20%的碳酸镁粉,碳酸镁粉高速搅拌时间为1~10分钟,发泡温度为550℃~650℃,发泡结束后移出发泡炉,冷却降温,切割成材。本发明工艺条件稳定,操作控制准确,制出的泡沫镁产品孔径均匀,可生产不同密度,不同孔径的泡沫镁产品。本发明制造泡沫镁成本低并且工艺简单,适合于较大规模工业生产。200510047728.0
语种中文
内容类型成果
源URL[http://210.72.142.130/handle/321006/68932]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
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GB/T 7714
中国科学院金属研究所. 熔体直接发泡制备泡沫镁的方法. . 2008.
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