熔体直接发泡制备泡沫镁的方法 | |
中国科学院金属研究所 | |
2008 | |
关键词 | 泡沫镁 熔体直接发泡 碳化硅 |
中文摘要 | 本发明属于金属材料和功能材料及材料加工领域,特别涉及一种熔体直接发泡制备泡沫镁的方法,包括原料熔化、加发泡剂搅拌、发泡、切割成型等工艺步骤。本发明按一定比例制得镁合金,将镁合金加热至700~730℃温度下熔化,加入占镁合金质量5~30%的碳化硅颗粒,然后降至550℃~650℃的温度,再加入占镁合金和碳化硅总质量2~20%的碳酸镁粉,碳酸镁粉高速搅拌时间为1~10分钟,发泡温度为550℃~650℃,发泡结束后移出发泡炉,冷却降温,切割成材。本发明工艺条件稳定,操作控制准确,制出的泡沫镁产品孔径均匀,可生产不同密度,不同孔径的泡沫镁产品。本发明制造泡沫镁成本低并且工艺简单,适合于较大规模工业生产。200510047728.0 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 成果 |
源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/68932] |
专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 中国科学院金属研究所. 熔体直接发泡制备泡沫镁的方法. . 2008. |
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