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	Diffusion behavior of dual capping layers in TiN/LaN/AlN/HfSiOx/Si stack
	Zheng, X. H.; Huang, A. P.; Xiao, Z. S.; Wang, M.; Liu, X. Y.; Wu, Z. W.; Chu, Paul K.
刊名	APPLIED PHYSICS LETTERS
	2011
卷号	99
关键词	aluminium compounds annealing chemical interdiffusion elemental semiconductors hafnium compounds high-k dielectric thin films lanthanum compounds MIS structures silicon titanium compounds
ISSN号	0003-6951
DOI	10.1063/1.3643517
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收录类别	SCIE ; EI
WOS记录号	WOS:000295618000034
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6589334
专题	北京航空航天大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Zheng, X. H.,Huang, A. P.,Xiao, Z. S.,et al. Diffusion behavior of dual capping layers in TiN/LaN/AlN/HfSiOx/Si stack[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS,2011,99.
APA	Zheng, X. H..,Huang, A. P..,Xiao, Z. S..,Wang, M..,Liu, X. Y..,...&Chu, Paul K..(2011).Diffusion behavior of dual capping layers in TiN/LaN/AlN/HfSiOx/Si stack.APPLIED PHYSICS LETTERS,99.
MLA	Zheng, X. H.,et al."Diffusion behavior of dual capping layers in TiN/LaN/AlN/HfSiOx/Si stack".APPLIED PHYSICS LETTERS 99(2011).

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