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	MOCVD GaAlAs/GaAs超晶格量子阱材料的研制及应用
	杨辉 ; 梁骏吾 ; 邓礼生 ; 郑联喜 ; 胡雄伟
	1994
获奖类别	院科技进步奖
获奖等级	二等奖
关键词	MOCVD
学科主题	半导体材料
英文摘要	于G批量导入至Hzhangdi; Made available in DSpace on 2010-04-13T00:43:39Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 1994
语种	中文
内容类型	成果
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/11056]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	杨辉,梁骏吾,邓礼生,等. MOCVD GaAlAs/GaAs超晶格量子阱材料的研制及应用. 院科技进步奖:二等奖. 1994.

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