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	Improved ion implant fluence uniformity in hydrogen enhanced glow discharge plasma immersion ion implantation into silicon
	Luo, J.; Li, L. H.; Liu, H. T.; Yu, K. M.; Xu, Y.; Zuo, X. J.; Zhu, P. Z.; Ma, Y. F.; Fu, Ricky K. Y.; Chu, Paul K.
刊名	REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS
	2014
卷号	85页码:063506
ISSN号	0034-6748
DOI	10.1063/1.4875982
URL标识	查看原文
收录类别	SCIE ; EI ; PUBMED
WOS记录号	WOS:000339010500027
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6552514
专题	北京航空航天大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Luo, J.,Li, L. H.,Liu, H. T.,et al. Improved ion implant fluence uniformity in hydrogen enhanced glow discharge plasma immersion ion implantation into silicon[J]. REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS,2014,85:063506.
APA	Luo, J..,Li, L. H..,Liu, H. T..,Yu, K. M..,Xu, Y..,...&Chu, Paul K..(2014).Improved ion implant fluence uniformity in hydrogen enhanced glow discharge plasma immersion ion implantation into silicon.REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS,85,063506.
MLA	Luo, J.,et al."Improved ion implant fluence uniformity in hydrogen enhanced glow discharge plasma immersion ion implantation into silicon".REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS 85(2014):063506.

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