QQ客服 官方微博 反馈留言

	多孔碳化硅表面单层、b轴取向ZSM-5沸石涂层材料及其制备
	张劲松, 矫义来, 杨振明 and 田冲
	2011-12-14
专利国别	中国
专利类型	发明专利
权利人	中国科学院金属研究所
中文摘要	本发明属于结构催化剂及其应用技术领域,具体为一种多孔碳化硅载体表面单层、b轴取向ZSM-5型沸石涂层材料及其制备方法。该结构催化剂以泡沫碳化硅或蜂窝结构碳化硅为载体,载体外表面有一层碳化硅颗粒搭接形成的多孔层,沸石涂层均匀生长于多孔层内。沸石涂层为单层结构,沸石晶体b轴垂直于碳化硅载体表面。该方法预先在碳化硅陶瓷表面原位生长一层晶种胶体,控制二次生长溶液的碱度、营养物质浓度及碱金属离子加入量,实现沸石晶体在碳化硅载体表面的可控生长。该结构催化剂孔道开放,分子扩散性能好,比表面积及负载量较大,沸石晶体与碳化硅载体接触面积大,有利于强化传质、传热,缩短反应物与反应产物与催化剂的接触时间。
公开日期	2011-12-14
语种	中文
专利申请号	CN102274744A
内容类型	专利
源URL	[http://210.72.142.130/handle/321006/65947]
专题	金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	张劲松, 矫义来, 杨振明 and 田冲. 多孔碳化硅表面单层、b轴取向ZSM-5沸石涂层材料及其制备. 2011-12-14.

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。