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	一种用于生长接近平衡态SiC单晶的坩埚及SiC单晶的生长方法
	胡小波; 徐现刚; 陈秀芳; 彭燕; 杨祥龙
	2019-06-28
权利人	山东大学
公开日期	2019-06-28
URL标识	查看原文
内容类型	专利
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6468165
专题	山东大学
推荐引用方式 GB/T 7714	胡小波,徐现刚,陈秀芳,等. 一种用于生长接近平衡态SiC单晶的坩埚及SiC单晶的生长方法. 2019-06-28.

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