应变补偿和生长停顿对InAs/InAlGaAs/InP纳米结构形貌的影响

	应变补偿和生长停顿对InAs/InAlGaAs/InP纳米结构形貌的影响
	杨新荣,徐波,赵国晴,周晓静,王占国
刊名	中国科学. 物理学, 力学, 天文学
	2012
卷号	42 期号:3 页码:237-241
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2013-05-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24092]
专题	半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	杨新荣,徐波,赵国晴,周晓静,王占国. 应变补偿和生长停顿对InAs/InAlGaAs/InP纳米结构形貌的影响[J]. 中国科学. 物理学, 力学, 天文学,2012,42(3):237-241.
APA	杨新荣,徐波,赵国晴,周晓静,王占国.(2012).应变补偿和生长停顿对InAs/InAlGaAs/InP纳米结构形貌的影响.中国科学. 物理学, 力学, 天文学,42(3),237-241.
MLA	杨新荣,徐波,赵国晴,周晓静,王占国."应变补偿和生长停顿对InAs/InAlGaAs/InP纳米结构形貌的影响".中国科学. 物理学, 力学, 天文学 42.3(2012):237-241.