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	氨化Si基Ga2O3/Ta薄膜制备GaN纳米线
	李红[1]; 薛成山[1]; 庄惠照[1]; 张晓凯[1]; 陈金华[1]; 杨兆柱[1]; 秦丽霞[1]
	2007
期号	5页码:31-33
关键词	氮化镓 磁控溅射 纳米线
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6410190
专题	山东师范大学
作者单位	[1]山东师范大学,物理与电子科学学院,半导体研究所,济南,250014 山东师范大学,物理与电子科学学院,半导体研究所,济南,250014 山东师范大学,物理与电子科学学院,半导体研究所,济南,250014 山东师范大学,物理与电子科学学院,半导体研究所,济南,250014 山东师范大学,物理与电子科学学院,半导体研究所,济南,250014 山东师范大学,物理与电子科学学院,半导体研究所,济南,250014 山东师范大学,物理与电子科学学院,半导体研究所,济南,250014
推荐引用方式 GB/T 7714	李红[1],薛成山[1],庄惠照[1],等. 氨化Si基Ga2O3/Ta薄膜制备GaN纳米线[J],2007(5):31-33.
APA	李红[1].,薛成山[1].,庄惠照[1].,张晓凯[1].,陈金华[1].,...&秦丽霞[1].(2007).氨化Si基Ga2O3/Ta薄膜制备GaN纳米线.(5),31-33.
MLA	李红[1],et al."氨化Si基Ga2O3/Ta薄膜制备GaN纳米线"..5(2007):31-33.

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