Phase Change Memory Cell Using Si2Sb2Te3 Material

	Phase Change Memory Cell Using Si2Sb2Te3 Material
	Ren, K ; Rao, F ; song, zt(重点实验室） ; Wu, LC ; Zhou, XL ; Liu, B(重点实验室） ; Feng, SL(重点实验室） ; Xi, W ; Chen, B
刊名	JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
	2010
卷号	49 期号:8 页码:80212
关键词	Physics Applied
ISSN号	0021-4922
学科主题	Physics
收录类别	SCI
原文出处	10.1143/JJAP.49.080212
语种	英语
公开日期	2013-05-10
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115481]
专题	上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	Ren, K,Rao, F,song, zt,et al. Phase Change Memory Cell Using Si2Sb2Te3 Material[J]. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2010,49(8):80212.
APA	Ren, K.,Rao, F.,song, zt.,Wu, LC.,Zhou, XL.,...&Chen, B.(2010).Phase Change Memory Cell Using Si2Sb2Te3 Material.JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,49(8),80212.
MLA	Ren, K,et al."Phase Change Memory Cell Using Si2Sb2Te3 Material".JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 49.8(2010):80212.