离子溅射诱发单相合金Cu—12at．％Au表面“元素局域富集”

	离子溅射诱发单相合金Cu—12at．％Au表面“元素局域富集”
	王震遐 ; 章骥平 ; 潘冀生 ; 陶振兰 ; 朱福英 ; 张慧明 ; 赵烈
刊名	核技术
	1994-06-10
期号	06
中文摘要	用扫描电子显微镜结合电子探针微分析（ＳＥＭ／ＥＰＭＡ）技术测定了溅射诱发的靶点表面成份变化;观察了表面形貌结构凸起和凹陷处的成分差别．实验结果表明．单相合金Ｃｕ－１２ａｔ．％Ａｕ在３０ｋｅＶＡｒ＋离子溅射过程中产生了“表面元素局域富集”现象。根据“溅射－形貌增强元素局域富集模型”;它包括元素局域富集初级阶段和毛细压力发生的选择性诱发力的作用．并据此对实验结果进行了讨论。
收录类别	CNKI
语种	中文
公开日期	2013-01-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/11753]
专题	上海应用物理研究所_中科院上海原子核所2003年前
推荐引用方式 GB/T 7714	王震遐,章骥平,潘冀生,等. 离子溅射诱发单相合金Cu—12at．％Au表面“元素局域富集”[J]. 核技术,1994(06).
APA	王震遐.,章骥平.,潘冀生.,陶振兰.,朱福英.,...&赵烈.(1994).离子溅射诱发单相合金Cu—12at．％Au表面“元素局域富集”.核技术(06).
MLA	王震遐,et al."离子溅射诱发单相合金Cu—12at．％Au表面“元素局域富集”".核技术 .06(1994).