| 题名 | 0.13微米SOI工艺仿真及PD SOI器件特性研究 |
| 作者 | 罗杰馨 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2012-05-28 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 王曦,陈静 |
| 关键词 | 绝缘体上的硅 部分耗尽 浮体效应 记忆效应 隧道二极管 |
| 其他题名 | Investigations of PD SOI Device Characteristics and TCAD Simulation of 0.13μm SOI Process |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 绝缘体上硅（Silicon-on-Insulator, SOI）技术实现器件全介质隔离，彻底消除体硅CMOS寄生闩锁效应，具有功耗低、速度快、集成度高等显著特色。PD SOI器件体区并未完全耗尽，出现浮体效应。浮体效应对器件特性产生多方面的影响，主要有Kink效应、LKE效应、反常亚阈值摆幅效应、早期击穿效应及记忆效应，这极大的限制了SOI技术的广泛应用。本论文重点开展PD SOI器件浮体效应的研究，创新性提出有效抑制浮体效应的TDBC SOI新技术，主要获得如下四方面的成果：1. TCAD仿真研究0.1 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-04-24 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115013]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 罗杰馨. 0.13微米SOI工艺仿真及PD SOI器件特性研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2012. |
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