| InAs沉积量对InAs/GaAs量子点表面形貌的影响 | |
| 赵振; 周海月; 郭祥; 罗子江; 王继红; 王一; 魏文喆; 丁召 | |
| 2015 | |
| 卷号 | 46期号:23页码:23025-23030 |
| 关键词 | 分子束外延 液滴刻蚀 台阶 InAs量子点 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6231476 |
| 专题 | 贵州大学 |
| 作者单位 | 1.[1]贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳550025 2.[2]贵州财经大学教育管理学院,贵阳550004 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵振,周海月,郭祥,等. InAs沉积量对InAs/GaAs量子点表面形貌的影响[J],2015,46(23):23025-23030. |
| APA | 赵振.,周海月.,郭祥.,罗子江.,王继红.,...&丁召.(2015).InAs沉积量对InAs/GaAs量子点表面形貌的影响.,46(23),23025-23030. |
| MLA | 赵振,et al."InAs沉积量对InAs/GaAs量子点表面形貌的影响".46.23(2015):23025-23030. |
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