| 用于厚膜GaN制备的HVPE设备(中科院) | |
| 于广辉 ; 齐鸣 ; 雷本亮 ; 李爱珍 | |
| 2004 | |
| 获奖类别 | 鉴定 |
| 获奖等级 | 无 |
| 中文摘要 | 涉及一种用于气相沉积的水平式反应器结构设计,其特征在于在水平式反应器中采用了源气垂直喷淋供给的方式。该反应器结构由两组喷淋头、一路载气、一个样品托和一个圆形或者方形的水平腔体组成,整个反应器结构放在水平腔体内,进气和出气口分别在水平腔体的两端,使用时反应器水平放置。由于采用垂直喷淋供气方式,使得两种反应气体在混合区很小的情况下也可以实现均匀混合,既保证了外延生长中大面积均匀性的实现,同时也减少了对外延生长有害的预反应的发生。采用喷淋头与样品平行的结构,既可以采用集成化的反应器结构,即源气喷淋头和样品托固定 |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 成果 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113737]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 于广辉,齐鸣,雷本亮,等. 用于厚膜GaN制备的HVPE设备(中科院). 鉴定:无. 2004. |
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