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	磷化铟基含砷含磷量子级联激光器结构及不间断生方法
	李爱珍 ; 陈建新 ; 李华
	2005
获奖类别	鉴定
获奖等级	无
中文摘要	本发明设计中红外低阈值电流密度InP基含砷含磷量子级联激光器结构及其不间断生长制备方法。其特征是：(1)四种中红外InP基含砷含磷量子级联激光器结构。这四种QCL结构的特点是：(a)都包括了InP基含砷含磷GaInAs/AlInAs/GaInAs/InP/InP或GaInAs/InP/GaInAs/AlInAs/InP/InP;(b)只采用硅一种主掺杂剂;(c)采用InP/InP复合下波导包裹层;在InP和GaInAs间相互过渡时采用InP/GaInAs或GaInAs/InP数字递变超晶格层;(d)在有源
语种	中文
内容类型	成果
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113555]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果
推荐引用方式 GB/T 7714	李爱珍,陈建新,李华. 磷化铟基含砷含磷量子级联激光器结构及不间断生方法. 鉴定:无. 2005.

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