太赫兹半导体器件及物理 | |
曹俊诚 | |
2009 | |
获奖类别 | 鉴定 |
获奖等级 | 无 |
中文摘要 | 该项目在太赫兹(THz)探测器及物理方面:首次解释了一个长期未能解释的THz辐射在低维半导体中的吸收规律,研究结果发表在Phys. Rev.Lett.91,237401(2003),为国内首篇在Phys.Rev.Lett.发表的关于THz研究的论文。另一方面,采用抛物带有效质量近似和三维漂移-扩散器件模拟方法设计了THz量子阱红外探测器(QWIP),并与合作者一起首次实现了峰值探测频率为7 THz的QWIP;在THz振荡源及物理方面:首次给出了量子阱子带间跃迁的等离子模式与声子模式共振耦合的证据,研究结果 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 成果 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113481] |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 曹俊诚. 太赫兹半导体器件及物理. 鉴定:无. 2009. |
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