| 选择外延法制造源漏在绝缘体上的场效应晶体管 | |
| 未知 | |
| 2005 | |
| 获奖类别 | 鉴定 |
| 获奖等级 | 无 |
| 中文摘要 | 该发明专利是一种源漏在绝缘体上的场效应晶体管(MOSFET)的制造方法,属于微电子技术领域。其特征为：采用选择外延法在常规SOIMOSTET器件的沟道下方埋氧中开一个窗口,使器件的沟道和硅衬底相连接,达到顶层硅和埋氧的刻蚀;在沟道区域选择外延单晶硅;化学机械抛光平坦化;常规CMOS工艺完成器件的制造等工艺步骤。采用该方法制造的源漏的绝缘体上的晶体,具有埋氧和体硅之间界面陡峭,缺陷少等优点,保证了器件的性能,在深亚微米集成电路的制造中有一定的应用前景。 |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 成果 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113435]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 未知. 选择外延法制造源漏在绝缘体上的场效应晶体管. 鉴定:无. 2005. |
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