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	准绝缘体上的硅场效应晶体管
	未知
	2005
获奖类别	鉴定
获奖等级	无
中文摘要	该发明专利是一种准绝缘体上的硅(SOI)金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的新结构及实现方法。其特征为：源漏区下方埋氧是连续的;而沟道区下方的埋氧是非连续的。采用注氧隔离技术来实现的工艺过程是：(1)在半导体衬底中注入低于最优剂量的离子;(2)在器件沟道区光刻生成掩膜;(3)在源漏区第二次注入离子,使源漏区注入的总剂量达到最优剂量;高温退火后在源漏区下方形成连续埋氧,沟道区下方形成非连续的埋氧;(4)常规CMOS技术完成器件制作。由于沟道下方的埋氧是非连续的,沟道和硅衬底之间电耦合,从而
语种	中文
内容类型	成果
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113432]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果
推荐引用方式 GB/T 7714	未知. 准绝缘体上的硅场效应晶体管. 鉴定:无. 2005.

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