| 中红外Ⅲ-V锑化物激光器/探测器材料与器件 | |
| 未知 | |
| 2004 | |
| 获奖类别 | 鉴定 |
| 获奖等级 | 无 |
| 中文摘要 | 该项目用分子束外延方法研制成功中红外GlGaAsAb/InGaAsSb多量子阱激光器材料和探测器材料。用该材料研制成功的单模多量子阱激光器,波长2.0mm,最高工作温度80℃,占空比10-60％,功率20mW。所研制的室温PIN探测器工作波长1.8-2.36mm,峰值波长2.3-2.4mm,室温探测率6×10^9cmHz^(1/2)/W,已在红外测温仪、定标光谱仪、地物光谱仪、近红外特征吸收光谱仪等进行实用化试验。 |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 成果 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113411]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 未知. 中红外Ⅲ-V锑化物激光器/探测器材料与器件. 鉴定:无. 2004. |
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