CCD在不同通量电子辐照下的损伤机理研究

	CCD在不同通量电子辐照下的损伤机理研究
	陆妩; 郭旗; 余学峰; 何承发; 李豫东
	2010
会议名称	第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会
会议日期	2010
会议地点	贵阳
中文摘要	为了研究CCD的高能电子辐射损伤机理，对TCD1209线阵CCD进行了能量为1.1MeV的电子辐照实验，共选取了两种不同的电子通量，辐照后对器件进行了常温退火实验，实验过程中考察了CCD受辐照条件下及退火后其光响应灵敏度、暗电流、参考电平、功耗电流等特性参数的变化规律，实验结果表明，CCD受电子辐照后主要产生总剂量电离损伤，在不同通量电子辐照下的损伤效应类似于MOS器件的时间相关效应。
会议主办者	中国电子学会中国核学会
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2337]
专题	新疆理化技术研究所_新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室
推荐引用方式 GB/T 7714	陆妩,郭旗,余学峰,等. CCD在不同通量电子辐照下的损伤机理研究[C]. 见:第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会. 贵阳. 2010.