折射面入光探测器的制作方法 | |
廖栽宜 ; 张云霄 ; 周 帆 ; 赵玲娟 ; 王 圩 | |
2010-08-12 | |
专利国别 | 中国 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
中文摘要 | 一种折射面入光探测器的制作方法,制作过程包括如下步骤:步骤1:在衬底上采用MOCVD的方法生长探测器材料结构;步骤2:在探测器材料结构的上面制作p型欧姆接触;步骤3:在p型欧姆接触的周边向下刻蚀,形成探测器台面结构;步骤4:在步骤3形成的器件的上表面生长第一SiO2层;步骤5:在探测器台面结构的一侧腐蚀掉部分第一SiO2层,形成条形掩模图形结构;步骤6:在掩膜图形结构上,采用化学腐蚀的方法,向下腐蚀出燕尾槽;步骤7:腐蚀掉器件表面的第一SiO2层,重新在整个器件的表面生长第二SiO2层;步骤8:在燕尾槽中填入聚合物,使得材料表面平整;腐蚀掉p欧姆接触上的第二SiO2层;步骤9:在探测器台面结构的一侧制作p型金属电极;步骤10:将衬底减薄,在衬底的背面制作金属电极;步骤11:清除掉燕尾槽中的聚合物,解理芯片,完成整个器件的制作。 |
英文摘要 | 一种折射面入光探测器的制作方法,制作过程包括如下步骤:步骤1:在衬底上采用MOCVD的方法生长探测器材料结构;步骤2:在探测器材料结构的上面制作p型欧姆接触;步骤3:在p型欧姆接触的周边向下刻蚀,形成探测器台面结构;步骤4:在步骤3形成的器件的上表面生长第一SiO2层;步骤5:在探测器台面结构的一侧腐蚀掉部分第一SiO2层,形成条形掩模图形结构;步骤6:在掩膜图形结构上,采用化学腐蚀的方法,向下腐蚀出燕尾槽;步骤7:腐蚀掉器件表面的第一SiO2层,重新在整个器件的表面生长第二SiO2层;步骤8:在燕尾槽中填入聚合物,使得材料表面平整;腐蚀掉p欧姆接触上的第二SiO2层;步骤9:在探测器台面结构的一侧制作p型金属电极;步骤10:将衬底减薄,在衬底的背面制作金属电极;步骤11:清除掉燕尾槽中的聚合物,解理芯片,完成整个器件的制作。; 于AD批量导入至AEzhangdi; Made available in DSpace on 2010-08-12T05:13:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3591.pdf: 647993 bytes, checksum: 028170543f402e64249401debef7348c (MD5) |
公开日期 | 2009-12-23 ; 2010-08-12 ; 2010-10-15 |
申请日期 | 2008-06-18 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | CN200810115183.6 |
专利代理 | 汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13450] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 廖栽宜,张云霄,周 帆,等. 折射面入光探测器的制作方法. 2010-08-12. |
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