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	氨化Si基Ga2O3／Co薄膜制备GaN纳米线
	秦丽霞[1]; 薛成山[1]; 庄惠照[1]; 陈金华[1]; 李红[1]; 杨兆柱[1]
	2008
卷号	39期号:5页码:851-852
关键词	磁控溅射 GaN纳米线 Co
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6108444
专题	山东师范大学
作者单位	[1]山东师范大学半导体研究所,山东济南250014
推荐引用方式 GB/T 7714	秦丽霞[1],薛成山[1],庄惠照[1],等. 氨化Si基Ga2O3／Co薄膜制备GaN纳米线[J],2008,39(5):851-852.
APA	秦丽霞[1],薛成山[1],庄惠照[1],陈金华[1],李红[1],&杨兆柱[1].(2008).氨化Si基Ga2O3／Co薄膜制备GaN纳米线.,39(5),851-852.
MLA	秦丽霞[1],et al."氨化Si基Ga2O3／Co薄膜制备GaN纳米线".39.5(2008):851-852.

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