坩埚下降法生长CaF_2晶体中热传导率对界面形状的影响

	坩埚下降法生长CaF_2晶体中热传导率对界面形状的影响
	吕志新 ; 崔凤柱
刊名	人工晶体学报
	1991-12-31
期号	Z1 页码:254
关键词	坩埚下降法生长:7363 界面形状:4167 热传导率:3518 CaF_2:3392 光学均匀性:1196 晶体材料:919 透过率:859 中国科学院:753 暗视场:697 干涉图:675
公开日期	2013-03-11
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/32201]
专题	长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	吕志新,崔凤柱. 坩埚下降法生长CaF_2晶体中热传导率对界面形状的影响[J]. 人工晶体学报,1991(Z1):254.
APA	吕志新,&崔凤柱.(1991).坩埚下降法生长CaF_2晶体中热传导率对界面形状的影响.人工晶体学报(Z1),254.
MLA	吕志新,et al."坩埚下降法生长CaF_2晶体中热传导率对界面形状的影响".人工晶体学报 .Z1(1991):254.