| 面向5 nm CMOS技术代堆叠纳米线释放工艺研究 | |
| 曹志军; 张青竹; 吴次南; 闫江; 王桂磊; 李俊杰; 张兆浩; 殷华湘; 余金中; 李志华 | |
| 2018 | |
| 卷号 | 38期号:2页码:121-126 |
| 关键词 | GeSi HF-H2O2-CH3COOH溶液 纳米线 CH3COOH |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6018742 |
| 专题 | 贵州大学 |
| 作者单位 | 1.[1]贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳550025 2.[2]中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室,北京100029 3.[3]北方工业大学电子信息工程学院,北京100144 4.[4]北京有色金属研究总院智能传感功能材料国家重点实验室,北京100088 5.[5]中国科学院大学,北京100049 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曹志军,张青竹,吴次南,等. 面向5 nm CMOS技术代堆叠纳米线释放工艺研究[J],2018,38(2):121-126. |
| APA | 曹志军.,张青竹.,吴次南.,闫江.,王桂磊.,...&李志华.(2018).面向5 nm CMOS技术代堆叠纳米线释放工艺研究.,38(2),121-126. |
| MLA | 曹志军,et al."面向5 nm CMOS技术代堆叠纳米线释放工艺研究".38.2(2018):121-126. |
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