| 螺旋波等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜 | |
| Yu, W[1]; Liu, LH[2]; Hou, HH[3]; Ding, XC[4]; Han, L[5]; Fu, GS[6] | |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 2003 | |
| 卷号 | 52期号:3页码:687-691 |
| 关键词 | 螺旋波等离子体 化学气相沉积 氮化硅薄膜 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| DOI | http://dx.doi.org/10.3321/j.issn:1000-3290.2003.03.033 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 收录类别 | SCI(E) ; 中文核心期刊要目总览CSCD |
| WOS记录号 | WOS:000181642200033 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6002417 |
| 专题 | 河北大学 |
| 作者单位 | 河北大学物理科学与技术学院,保定,071002 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yu, W[1],Liu, LH[2],Hou, HH[3],等. 螺旋波等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜[J]. 物理学报,2003,52(3):687-691. |
| APA | Yu, W[1],Liu, LH[2],Hou, HH[3],Ding, XC[4],Han, L[5],&Fu, GS[6].(2003).螺旋波等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜.物理学报,52(3),687-691. |
| MLA | Yu, W[1],et al."螺旋波等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜".物理学报 52.3(2003):687-691. |
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