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	Te-Doped Black Phosphorus Field-Effect Transistors
	Yang, Bingchao; Wan, Bensong; Zhou, Qionghua; Wang, Yue; Hu, Wentao; Lv, Weiming; Chen, Qian; Zeng, Zhongming; Wen, Fusheng; Xiang, Jianyong
刊名	ADVANCED MATERIALS
	2016
卷号	28页码:9408-+
关键词	2D layered materials Te-doping black phosphorus field-effect transistors
ISSN号	0935-9648
DOI	10.1002/adma.201603723
URL标识	查看原文
收录类别	SCIE ; EI ; PUBMED
WOS记录号	WOS:000391174600019
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5956816
专题	北京航空航天大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Yang, Bingchao,Wan, Bensong,Zhou, Qionghua,et al. Te-Doped Black Phosphorus Field-Effect Transistors[J]. ADVANCED MATERIALS,2016,28:9408-+.
APA	Yang, Bingchao.,Wan, Bensong.,Zhou, Qionghua.,Wang, Yue.,Hu, Wentao.,...&Liu, Zhongyuan.(2016).Te-Doped Black Phosphorus Field-Effect Transistors.ADVANCED MATERIALS,28,9408-+.
MLA	Yang, Bingchao,et al."Te-Doped Black Phosphorus Field-Effect Transistors".ADVANCED MATERIALS 28(2016):9408-+.

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