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	退火温度对硅基GaN薄膜质量的影响
	吴玉新[1,2]; 薛成山[1]; 庄惠照[1]; 田德恒[1]; 刘亦安[1]; 何建廷[1]; 艾玉杰[1]; 孙莉莉[1]; 王福学[1]
	2007
卷号	27期号:4页码:472-475
关键词	氮化镓薄膜 电泳沉积 退火温度 光致发光
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5799064
专题	山东师范大学
作者单位	1.[1]山东师范大学半导体研究所,济南250014 2.[2]中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京100083
推荐引用方式 GB/T 7714	吴玉新[1,2],薛成山[1],庄惠照[1],等. 退火温度对硅基GaN薄膜质量的影响[J],2007,27(4):472-475.
APA	吴玉新[1,2].,薛成山[1].,庄惠照[1].,田德恒[1].,刘亦安[1].,...&王福学[1].(2007).退火温度对硅基GaN薄膜质量的影响.,27(4),472-475.
MLA	吴玉新[1,2],et al."退火温度对硅基GaN薄膜质量的影响".27.4(2007):472-475.

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