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	In掺杂ZnO电子结构的第一性原理研究
	刘小村[1]; 季燕菊[1]; 赵俊卿[1]; 刘立强[2]; 孙兆鹏[3]; 董和磊[4]
	2010
卷号	59期号:7页码:4925-4929
关键词	密度泛函理论 电子结构 In掺杂ZnO
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5782631
专题	山东师范大学
作者单位	1.[1]山东建筑大学理学院,济南250101 2.[2]山东建筑大学材料科学与工程学院,济南250101 3.[3]山东大学物理学院,济南250100 4.[4]山东师范大学物理与电子科学学院,济南250014
推荐引用方式 GB/T 7714	刘小村[1],季燕菊[1],赵俊卿[1],等. In掺杂ZnO电子结构的第一性原理研究[J],2010,59(7):4925-4929.
APA	刘小村[1],季燕菊[1],赵俊卿[1],刘立强[2],孙兆鹏[3],&董和磊[4].(2010).In掺杂ZnO电子结构的第一性原理研究.,59(7),4925-4929.
MLA	刘小村[1],et al."In掺杂ZnO电子结构的第一性原理研究".59.7(2010):4925-4929.

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