| 脉冲激光辐照单晶硅形成的低维结构及其光致荧光特性 | |
| 许丽; 黄伟其; 吴克跃; 金峰; 王海旭 | |
| 2008 | |
| 卷号 | 20期号:1页码:58-61 |
| 关键词 | 激光辐照 纳米网孔壁 光致荧光增强 氧化 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5756255 |
| 专题 | 贵州大学 |
| 作者单位 | 1.[1]贵州大学贵州省光电子技术与应用重点实验室,贵阳550025 2.[2]贵州教育学院物理系,贵阳550003 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 许丽,黄伟其,吴克跃,等. 脉冲激光辐照单晶硅形成的低维结构及其光致荧光特性[J],2008,20(1):58-61. |
| APA | 许丽,黄伟其,吴克跃,金峰,&王海旭.(2008).脉冲激光辐照单晶硅形成的低维结构及其光致荧光特性.,20(1),58-61. |
| MLA | 许丽,et al."脉冲激光辐照单晶硅形成的低维结构及其光致荧光特性".20.1(2008):58-61. |
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