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	A simple method to control nanotribology behaviors of monocrystalline silicon
	Wang, X. D.; Guo, J.; Chen, C.; Chen, L.; Qian, L. M.*
刊名	Journal of Applied Physics
	2016
卷号	119期号:4
ISSN号	0021-8979
DOI	10.1063/1.4940882
URL标识	查看原文
WOS记录号	WOS:000369896300018;EI:20160601891917
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5676972
专题	南华大学
作者单位	1.[Wang, X. D. 2.Chen, L. 3.Qian, L. M. 4.Guo, J. 5.Chen, C.] Southwest Jiaotong Univ, Natl Tract Power Lab, Tribol Res Inst, Chengdu 610031, Peoples R China.
推荐引用方式 GB/T 7714	Wang, X. D.,Guo, J.,Chen, C.,et al. A simple method to control nanotribology behaviors of monocrystalline silicon[J]. Journal of Applied Physics,2016,119(4).
APA	Wang, X. D.,Guo, J.,Chen, C.,Chen, L.,&Qian, L. M.*.(2016).A simple method to control nanotribology behaviors of monocrystalline silicon.Journal of Applied Physics,119(4).
MLA	Wang, X. D.,et al."A simple method to control nanotribology behaviors of monocrystalline silicon".Journal of Applied Physics 119.4(2016).

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