回音壁模微腔激光二极管的制备方法
徐春祥; 朱刚毅; 戴俊; 林毅; 石增良; 理记涛
2013-05-01
著作权人东南大学
专利号CN102545046B
国家中国
文献子类授权发明
其他题名回音壁模微腔激光二极管的制备方法
英文摘要回音壁模微腔激光二极管的制备方法,首先在P型氮化镓薄膜表面旋涂一层P型聚合物半导体薄膜(如聚乙烯基咔唑PVK、聚芴PF、聚对苯乙烯撑PPV、聚-3烷基噻吩P3HT及其衍生物等P型聚合物半导体),然后将单根氧化锌微米棒集成在p型聚合物薄膜表面形成异质结,然后在集成有ZnO微米棒的片子上旋涂一层绝缘薄膜(如:聚甲基丙烯酸甲酯PMMA,聚二甲基硅氧烷PDMS,二氧化硅SiO2,三氧化二铝Al2O3等有机或者无机透明绝缘材料),通过反应离子刻蚀或者光刻工艺把ZnO微米棒表面暴露,接着在ZnO微米棒表面制备透明电极(如:氧化铟锡ITO、氧化锌铝ZAO等),最后在p型GaN表面制备具有欧姆接触的金属电极,构成完整的器件。
公开日期2013-05-01
申请日期2012-01-17
状态授权
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42879]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位东南大学
推荐引用方式
GB/T 7714
徐春祥,朱刚毅,戴俊,等. 回音壁模微腔激光二极管的制备方法. CN102545046B. 2013-05-01.
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