利用子基座条制造激光二极管单元的装置和方法
岛泽幸司; 进藤修; 土屋芳弘; 伊藤靖浩; 酒井贤司
2016-12-28
著作权人TDK株式会社
专利号CN103440874B
国家中国
文献子类授权发明
其他题名利用子基座条制造激光二极管单元的装置和方法
英文摘要本发明的激光二极管单元的制造方法包括步骤:将激光二极管置于形成子基座的安装面的焊料构件之上;将加压载荷施加于激光二极管,并将激光二极管压向焊料构件;接着,在所述焊料构件被施加加压载荷的同时,通过对焊料构件以高于焊料构件的熔点的温度进行加热,使焊料构件熔融,其后,通过冷却并焊料构件使其固化,将激光二极管接合于子基座,其后,解除加压载荷;以及在已经除去加压载荷之后,通过以低于焊料构件的熔点的温度对焊料构件进行加热,使固化了的焊料构件软化,其后,冷却焊料构件并使其再固化。
公开日期2016-12-28
申请日期2013-02-05
状态授权
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42852]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位TDK株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
岛泽幸司,进藤修,土屋芳弘,等. 利用子基座条制造激光二极管单元的装置和方法. CN103440874B. 2016-12-28.
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