一种激光二极管与背光探测器集成芯片
丘文夫; 林琦; 林中晞; 王凌华; 徐玉兰; 陈景源; 苏辉
2018-09-18
著作权人中国科学院福建物质结构研究所
专利号CN207884067U
国家中国
文献子类实用新型
其他题名一种激光二极管与背光探测器集成芯片
英文摘要本公开涉及一种激光二极管与背光探测器集成芯片。所述芯片包括:一次外延样品;所述一次外延样品包括:n‑InP衬底(1)上依次生长n‑InP缓冲层(2),InGaAlAs下分别限制层(3),有源层(4),InGaAlAs上分别限制层(5),p‑InP腐蚀停止层(6),p‑InGaAsP接触层(7),p‑InP盖层(8);所述一次外延样品上形成了脊和隔离区,垂直脊的方向通过隔离区形成2个区域,包括吸收区和激光区。本实用新型制备的芯片具有光功率高,探测功率高,隔离效果好,耦合效率高,暗电流小的特点。
公开日期2018-09-18
申请日期2017-11-14
状态授权
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41296]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院福建物质结构研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
丘文夫,林琦,林中晞,等. 一种激光二极管与背光探测器集成芯片. CN207884067U. 2018-09-18.
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