一种可改善出光发散角的对接型半导体激光器 | |
师宇晨; 潘彦廷; 李马惠; 穆瑶; 卫思逸; 赵小亮; 杨旗; 韦盼; 杨亚楠; 杨英 | |
2018-04-27 | |
著作权人 | 陕西源杰半导体技术有限公司 |
专利号 | CN207282905U |
国家 | 中国 |
文献子类 | 实用新型 |
其他题名 | 一种可改善出光发散角的对接型半导体激光器 |
英文摘要 | 本实用新型公开了一种可改善出光发散角的对接型半导体激光器,包括衬底以及设置在衬底上表面的量子阱,量子阱出光端对接生长有晶体外延生长InP,本实用新型的有益效果是在不增加激光器芯片的阈值电流的前提下,通过在传统边射型激光器端面长一层15um宽的InP(磷化铟),从而可以减少出光发散角,使远场光场变小,提高耦光效率,同时由于量子阱的结构没有发生改变,量子阱区的光局限因子也不改变,因此激光器芯片的阈值电流也不会增加。此结构借由晶体二次外延技术得以实现,解决了传统边射型半导体激光器芯片为了实现低的阈值电流,通常会使光尽可能多的被束缚在量子阱(铟镓砷磷)区,但光在量子阱区被束缚的越强烈,在激光器出光端面,形成的发散角就会越大,远场光场就越大,导致耦光率降低的问题。 |
公开日期 | 2018-04-27 |
申请日期 | 2017-06-12 |
状态 | 授权 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40767] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 陕西源杰半导体技术有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 师宇晨,潘彦廷,李马惠,等. 一种可改善出光发散角的对接型半导体激光器. CN207282905U. 2018-04-27. |
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