发光器件 | |
裴锡训; 崔锡范; 姜弼根; 黄德起; 韩伶妵; 崔熙石; 朴永录; 李泰暾; 吴贤成; 朱志熙 | |
2019-01-15 | |
著作权人 | LG伊诺特有限公司 |
专利号 | CN103187512B |
国家 | 中国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 发光器件 |
英文摘要 | 本文公开了一种发光器件、发光器件封装以及发光模块。该发光器件包括:发光结构,该发光结构包括:第一导电半导体层;第二导电半导体层;以及有源层,位于第一导电半导体层与第二导电半导体层之间;支撑元件,位于该发光结构下方;反射电极层,位于第二导电半导体层与支撑元件之间;以及第一连接电极至第三连接电极,在支撑元件中彼此间隔开。第二连接电极被布置在第一连接电极与第三连接电极之间,第一连接电极和第三连接电极彼此电性连接,以及支撑元件被布置在第一连接电极至第三连接电极的外围部分。 |
公开日期 | 2019-01-15 |
申请日期 | 2012-12-31 |
状态 | 授权 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39423] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | LG伊诺特有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 裴锡训,崔锡范,姜弼根,等. 发光器件. CN103187512B. 2019-01-15. |
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