一种可关断的连续调谐半导体激光器芯片结构 | |
董延; 李马惠; 穆瑶; 卫思逸; 杨亚楠; 任鹏强; 伍成阳; 韦盼; 焦富翔 | |
2019-08-09 | |
著作权人 | 陕西源杰半导体技术有限公司咸阳分公司 |
专利号 | CN209233159U |
国家 | 中国 |
文献子类 | 实用新型 |
其他题名 | 一种可关断的连续调谐半导体激光器芯片结构 |
英文摘要 | 一种可关断的连续调谐半导体激光器芯片结构,包括基板、分布式反馈‑多量子阱、电吸收‑多量子阱、光栅层、电隔离区和包层;基板的上表面并排设置有分布式反馈‑多量子阱和电吸收‑多量子阱,分布式反馈‑多量子阱的末端和电吸收‑多量子阱的首端相接;反馈‑多量子阱和电吸收‑多量子阱的上表面设置有光栅层,光栅层上方沉积设置有包层;包层上刻蚀设置有电隔离区;本实用新型实现了对信道切换间的窜扰的隔离。本实用新型芯片的可关断功率可以达到‑20dBm~‑60dBm,满足光信号隔离要求。 |
公开日期 | 2019-08-09 |
申请日期 | 2019-01-21 |
状态 | 授权 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38836] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 陕西源杰半导体技术有限公司咸阳分公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 董延,李马惠,穆瑶,等. 一种可关断的连续调谐半导体激光器芯片结构. CN209233159U. 2019-08-09. |
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