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	基于二硫化钼/石墨烯可饱和吸收体的调Q固体激光器
	孔春霞; 罗云; 戴瑞; 张雪; 季晓炜
	2019-08-06
著作权人	南京信息工程大学
专利号	CN209217428U
国家	中国
文献子类	实用新型
其他题名	基于二硫化钼/石墨烯可饱和吸收体的调Q固体激光器
英文摘要	本实用新型公开了一种基于二硫化钼/石墨烯可饱和吸收体的调Q固体激光器，半导体激光器产生的连续光束依次穿过耦合透镜、第一平凹镜、增益介质和第二平凹镜，并通过第二平凹镜反射形成第一反射光束，第一反射光束射至反射镜上，并经反射镜反射形成第二反射光束，第二反射光束回射至第二平凹镜上，并经第二平凹镜反射形成第三反射光束，第三反射光束穿过增益介质并射至第一平凹镜，经第一平凹镜反射形成第四反射光束，第四反射光束穿过MoS2/Gr可饱和吸收体并射至输出镜上。相较于单纯的二硫化钼，MoS2/Gr复合材料对氧化还原反应的催化能力显著提高，在光学激光器领域应用更为广泛。本实用新型流程少、操作简单，制备质量完全满足固体激光器应用要求。
公开日期	2019-08-06
申请日期	2018-10-26
状态	授权
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38817]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	南京信息工程大学
推荐引用方式 GB/T 7714	孔春霞,罗云,戴瑞,等. 基于二硫化钼/石墨烯可饱和吸收体的调Q固体激光器. CN209217428U. 2019-08-06.

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