半导体结构以及形成半导体结构的方法

	半导体结构以及形成半导体结构的方法
	蔡劲; E·里欧班端; 李宁; 宁德雄; J-O·普卢查特; D·K·萨达纳
	2019-07-26
著作权人	国际商业机器公司
专利号	CN105990391B
国家	中国
文献子类	授权发明
其他题名	半导体结构以及形成半导体结构的方法
英文摘要	在形成延伸通过顶部半导体层以及隐埋绝缘体层并且延伸到绝缘体上半导体(SOI)衬底的处理衬底中的第一沟槽之后，在第一沟槽内形成电介质波导材料堆叠，该电介质波导材料堆叠包括下电介质包覆层、核心层以及上电介质包覆层。接下来，在顶部半导体层的剩余部分中形成至少一个横向双极结型晶体管(BJT)，其可以是PNP BJT、NPN BJT或者一对互补的PNP BJT和NPN BJT。在形成延伸通过电介质波导材料堆叠的第二沟槽以重新暴露第一沟槽的底部表面的一部分之后，在第二沟槽中形成激光二极管。
公开日期	2019-07-26
申请日期	2016-03-18
状态	授权
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38773]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	国际商业机器公司
推荐引用方式 GB/T 7714	蔡劲,E·里欧班端,李宁,等. 半导体结构以及形成半导体结构的方法. CN105990391B. 2019-07-26.