一种垂直腔面发射激光器

	一种垂直腔面发射激光器
	张祥伟; 刘宝元; 陈靖; 聂亮; 陶禹; 韩峰; 吴玲玲; 郭荣礼
	2019-02-15
著作权人	西安工业大学
专利号	CN208508239U
国家	中国
文献子类	实用新型
其他题名	一种垂直腔面发射激光器
英文摘要	本实用新型公开了一种垂直腔面发射激光器，该激光器包括半导体衬底、主激光器和种子源激光器，所述主激光器包括由下至上依次布设的第一缓冲层、第一N面电流引导层、第一有源区、第一高铝层、第一P型分布式布拉格反射镜层和第一P面电流引导层。本实用新型结构简单、设计合理且体积小，通过种子源激光器提高主激光器输出高功率激光光束的光束质量，并能压缩激光线宽，实用性强。
公开日期	2019-02-15
申请日期	2018-07-31
状态	授权
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38203]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	西安工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	张祥伟,刘宝元,陈靖,等. 一种垂直腔面发射激光器. CN208508239U. 2019-02-15.