高补偿硅的阻-温特性

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	高补偿硅的阻-温特性
	张建; 巴维真; 陈朝阳; 丛秀云; 陶明德; 巴哈迪尔哈诺夫 M K
刊名	电子元件与材料
	2004
卷号	23 期号:4
关键词	高补偿硅光敏深能级
ISSN号	1001-2028
其他题名	highly compensated si: resistivity-temperature characteristic
中文摘要	采用5Omega·cm的p型单晶硅,通过在高温下扩散金属锰的方法,可以得到高补偿硅.笔者选择没有光照下,室温电阻率为5.84*104Omega· cm的样品,进行测量电阻随温度的变化关系(温度从77 K上升到300 K).测试结果表明:在没有光照条件下测试时,电阻随温度的变化同普通的半导体;但在受到光照时,却出现极不相同的情况,这种不同,可能来自所掺杂的硅是一种光敏材料及掺入的杂质是一种深能级杂质.
英文摘要	Highly compensated Si was acquired by diffiusing Mn-metal into p-type silicon crystal of 5￡2 ? cm at high temperature. The relation between resistivity and temperature (temperature increases from 77 K to 300 K) was investigated with samples of 5.84 X 104fi ? cm, at room temperature. The results show that when the samples are in darkness, it behaves as common semiconductors; when the samples exposed to light, it behaves quite differently. That may caused by the fact that the material is sensitive to light and doped impurity of Mn lies on deep level.
学科主题	Engineering (provided by Thomson Reuters)
收录类别	CSCD
CSCD记录号	CSCD:1602107
公开日期	2012-11-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2244]
专题	新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室
作者单位	中国科学院新疆理化技术研究所;塔什干国立技术大学
推荐引用方式 GB/T 7714	张建,巴维真,陈朝阳,等. 高补偿硅的阻-温特性[J]. 电子元件与材料,2004,23(4).
APA	张建,巴维真,陈朝阳,丛秀云,陶明德,&巴哈迪尔哈诺夫 M K.(2004).高补偿硅的阻-温特性.电子元件与材料,23(4).
MLA	张建,et al."高补偿硅的阻-温特性".电子元件与材料 23.4(2004).