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	Preparation of p-NiO/n-SiC heterojunction on 4H-SiC substrate
	Wang, Xi; Pu, Hongbin; Hu, Dandan; Zang, Yuan; Hu, Jichao; Yang, Yong; Chen, Chunlan
	2018
卷号	227页码:315-317
关键词	NiO SiC Heterojunction RF magnetron sputtering
ISSN号	0167-577X
DOI	10.1016/j.matlet.2018.05.039
URL标识	查看原文
WOS记录号	WOS:000436420200083
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4975844
专题	西安理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Wang, Xi,Pu, Hongbin,Hu, Dandan,et al. Preparation of p-NiO/n-SiC heterojunction on 4H-SiC substrate[J],2018,227:315-317.
APA	Wang, Xi.,Pu, Hongbin.,Hu, Dandan.,Zang, Yuan.,Hu, Jichao.,...&Chen, Chunlan.(2018).Preparation of p-NiO/n-SiC heterojunction on 4H-SiC substrate.,227,315-317.
MLA	Wang, Xi,et al."Preparation of p-NiO/n-SiC heterojunction on 4H-SiC substrate".227(2018):315-317.

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