氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法

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	伊晓燕
专利国别	中国
专利号	CN102208502A
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
中文摘要	一种氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法,包括：步骤1：选择一外延结构,该外延结构包括衬底和氮化镓LED外延层；步骤2：在外延层上沉积SiO2层；步骤3：运用光刻技术,通过匀胶,前烘,曝光,坚膜,在SiO2层上形成光刻胶图形,该光刻胶图形覆盖SiO2层表面周边的部分面积；步骤4：腐蚀未被光刻胶图形掩盖的SiO2层,露出外延层；步骤5：剥离去掉光刻胶图形位置的光刻胶；步骤6：在腐蚀掉SiO2层位置的外延层上,蒸镀ITO层；步骤7：在未被腐蚀的SiO2层的表面相对的两边,蒸发接触金属电极,完成二极管隐形电极的制作。
公开日期	2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
语种	中文
专利申请号	CN201110152869.4
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23508]
专题	半导体研究所_中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式 GB/T 7714	伊晓燕. 氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法, 氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法, 氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法, 氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法. CN102208502A.