GaAs基半导体激光器热特性

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	GaAs基半导体激光器热特性
	乔彦彬 ; 冯士维 ; 马骁宇 ; 王晓薇 ; 郭春生 ; 邓海涛 ; 张光沉
刊名	红外与激光工程
	2011
卷号	40 期号:11 页码:2134-2137
中文摘要	对GaAs基808nm半导体激光器进行恒流老化试验，并利用电学法观察退化过程中激光器有源区温度变化和热阻，发现有源区温度随老化时间明显上升，而热阻没有明显变化，同时测试了老化过程中激光器的电学和光学特性，经分析，激光器失效的主要原因是有源区载流子非辐射复合增加，引起激光器有源区温度上升，从而说明电学法热特性测试是检测激光器退化的有效方法之一，为进一步提高激光器的热管理技术和改善其热特性奠定了一定的基础。
学科主题	半导体器件
收录类别	CSCD
资助信息	国家863计划,北京市自然科学基金,教育部博士点基金
语种	中文
公开日期	2012-07-17
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23267]
专题	半导体研究所_光电子器件国家工程中心
推荐引用方式 GB/T 7714	乔彦彬,冯士维,马骁宇,等. GaAs基半导体激光器热特性[J]. 红外与激光工程,2011,40(11):2134-2137.
APA	乔彦彬.,冯士维.,马骁宇.,王晓薇.,郭春生.,...&张光沉.(2011).GaAs基半导体激光器热特性.红外与激光工程,40(11),2134-2137.
MLA	乔彦彬,et al."GaAs基半导体激光器热特性".红外与激光工程 40.11(2011):2134-2137.