题名铑、钴表面合成气制C2含氧化合物的密度泛函理论研究
作者赵永慧
学位类别博士
答辩日期2011-12-07
授予单位中国科学院研究生院
导师李微雪
学位专业物理化学
中文摘要随着全球气候的变化、化石燃料资源的日趋减少以及原油价格的持续上涨,能源问题 是已经成为近年来全球普遍关心的焦点之一。由天然气、煤和生物质制得的合成气通过费 托合成方法高效转化为高品质液体燃料(GTL)及化工燃料对于缓解世界能源紧张和环境保 护具有重要的意义。其中由合成气出发合成C2 含氧化物作为一条经济的工业路线,近年 来始终是国内外十分活跃的研究领域。研究发现: ⒈ 在Rh,Co 表面,HCO 与CHx 插入偶联反应的能垒均要比相应的CO 插入偶联反 应的能垒相对较低,提出HCO 插入是C2 含氧化合物和碳链增长的重要通道。由于氧与金 属Co 具有比Rh 更大的亲和力使得CHxCHO 在Co 表面发生C-O 键断裂的能垒相对较低, 使得Co 催化剂具有较高的烷烃选择性,而Rh 催化剂具有相对较高的含氧化物的选择性。 ⒉ 研究发现形成RhCu 合金后,RhCu 合金表面可以有效地提高C2 含氧化合物的选择 性。进一步研究发现,RhCu 合金不但能够有效地降低贵金属Rh 催化剂的用量,还能有效 抑制积碳的形成。 ⒊ 通过理论计算首次研究了Co2C 的体相电子和结构性质以及表面稳定性,考察了 CO 在Co2C(011)表面的吸附和活化。在理论上揭示了利用Co/Co2C 非贵金属催化剂选择性 制备高碳醇的可行性。
语种中文
学科主题物理化学
公开日期2012-07-09
内容类型学位论文
源URL[http://159.226.238.44/handle/321008/116568]  
专题大连化学物理研究所_中国科学院大连化学物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
赵永慧. 铑、钴表面合成气制C2含氧化合物的密度泛函理论研究[D]. 中国科学院研究生院. 2011.
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