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	Gallium nitride oxide epitaxial film preparation method, involves cleaning substrate after completion of substrate selecting process, and performing in-situ annealing processing in room temperature to obtain film.
	LIANG H LIU Y DU G CHEN Y SHEN R XI
	2014
公开日期	2014
URL标识	查看原文
申请日期	2013-09-05
内容类型	专利
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4515934
专题	大连理工大学
作者单位	UNIV DALIAN TECHNOLOGY (UYDA-C
推荐引用方式 GB/T 7714	LIANG H LIU Y DU G CHEN Y SHEN R XI. Gallium nitride oxide epitaxial film preparation method, involves cleaning substrate after completion of substrate selecting process, and performing in-situ annealing processing in room temperature to obtain film.. 2014-01-01.

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