| 等离子硅刻蚀及其工艺参数的多尺度优化 | |
| 阎军; 杨明强; 严培 | |
| 刊名 | 计算机辅助工程
 |
| 2014 | |
| 卷号 | 23页码:84-87 |
| 关键词 | 硅刻蚀 容性耦合等离子体 射频电压 腔室压强 Kriging模型 优化 |
| ISSN号 | 1006-0871 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4422354 |
| 专题 | 大连理工大学 |
| 作者单位 | 大连理工大学工业装备结构分析国家重点实验室,辽宁大连,116023 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阎军,杨明强,严培. 等离子硅刻蚀及其工艺参数的多尺度优化[J]. 计算机辅助工程,2014,23:84-87. |
| APA | 阎军,杨明强,&严培.(2014).等离子硅刻蚀及其工艺参数的多尺度优化.计算机辅助工程,23,84-87. |
| MLA | 阎军,et al."等离子硅刻蚀及其工艺参数的多尺度优化".计算机辅助工程 23(2014):84-87. |
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