| Nitride-oxide based p-n heterojunctions synthesized by depositing VO2film on p-GaN/sapphire substrate | |
| Bian JM(边继明); Li XX(黎晓璇); Wang MH(王敏焕); Luo YM(骆英民); Zhang YZ(章俞之) | |
| 2015 | |
| 会议名称 | 第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 |
| 会议日期 | 2015-10-30 |
| 会议地点 | 苏州 |
| 关键词 | Vanadium oxide p-GaN p-n heterojunctions RF magnetron sputtering |
| 页码 | 162-163 |
| 会议录 | 第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4413557 |
| 专题 | 大连理工大学 |
| 作者单位 | 1.大连理工大学教育部三束材料改性重点实验室,大连,116024 2.中国科学院特种无机涂层重点实验室,上海,200050 3.大连理工大学教育部三束材料改性重点实验室,大连,116024 4.中国科学院特种无机涂层重点实验室,上海,200050 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Bian JM,Li XX,Wang MH,et al. Nitride-oxide based p-n heterojunctions synthesized by depositing VO2film on p-GaN/sapphire substrate[C]. 见:第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议. 苏州. 2015-10-30. |
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